Een duidelijke, niet-technische gids over hoe ASML’s EUV-lithografietools essentieel werden voor geavanceerde chips en waarom de hele industrie ervan afhankelijk is.
Als men het heeft over “leading-edge” chips, bedoelt men meestal de meest geavanceerde fabricageprocessen: kleinere structuren op silicium, hogere transistordichtheid en betere prestatie/energie binnen hetzelfde batterij- of koelingsbudget. Zo worden telefoons sneller zonder heter te worden en verwerken datacenters meer werk per watt.
ASML is belangrijk omdat het een stap beslaat die uitzonderlijk moeilijk te omzeilen is.
Lithografie is de fase waarin patronen op een wafer worden geprojecteerd—patronen die uiteindelijk transistoren en bedrading worden. Als je de vereiste patronen niet nauwkeurig genoeg kunt printen, kun je die generatie chips niet op schaal produceren.
“Poortwachter” betekent dus niet dat ASML de hele halfgeleiderindustrie beheerst. Het betekent dat vooruitgang aan de grens afhangt van toegang tot een bepaalde capaciteit die weinig spelers kunnen leveren—en vandaag is die capaciteit geconcentreerd in ASML’s meest geavanceerde lithografietools.
Enkele factoren verklaren waarom ASML vaak in de schijnwerpers staat:
Dit stuk richt zich op begrippen waarop je kunt vertrouwen: wat lithografie is, waarom EUV zo’n sprong betekende en waarom de chiptoeleveringsketen gevoelig werd voor deze tools. We vermijden hype en “magische” verklaringen en leggen in plaats daarvan de praktische beperkingen uit die lithografie tot een reële bottleneck aan de grens maken.
Beschouw lithografie als het drukken van ongelooflijk kleine patronen op een siliciumwafer met licht. Die patronen bepalen waar later transistoren, draden en contactpunten komen te zitten. Als de “print” zelfs maar een beetje afwijkt, kan een chip minder presteren, meer energie verbruiken of helemaal falen.
Lithografie is een herhaalde cyclus die gebruikt wordt om een chip laag voor laag te bouwen:
Coat resist: De wafer wordt bedekt met een lichtgevoelige laag genaamd fotoresist.
Belichten: Licht schijnt door een fotomasker (een glasplaat met het patroon). De lithografietool projecteert dat patroon op de resist, zoals een uiterst nauwkeurige projector.
Ontwikkelen: De belichte resist wordt chemisch ontwikkeld zodat delen weggespoeld worden en er een geprint resist-“sjabloon” overblijft.
Etsen of afzetten: Met de resist-sjabloon etst of deponeert de fabriek materiaal op de juiste plekken.
Herhalen: Een leading-edge chip kan tientallen (soms honderden) van deze lussen vereisen over veel lagen.
Kleinere transistoren zijn niet zomaar “kleinere tekeningen”. Ze vragen om strakkere uitlijning tussen lagen, scherpere randen en minder variatie over een hele wafer. De nauwkeurigheid van lithografie beïnvloedt sterk hoe klein en complex het uiteindelijke ontwerp kan zijn—en hoeveel goede chips (“yield”) er per wafer komen.
Lithografie is slechts één onderdeel van halfgeleiderfabricage—materialen, depositie, etsen, packaging en testen zijn ook belangrijk—maar het is vaak de moeilijkste bottleneck omdat het het fundamentele patroon zet waarop alle volgende stappen moeten gebaseerd zijn.
Chipvooruitgang wordt vaak beschreven als “transistoren kleiner maken”. De verborgen beperking is dat je die vormen ook kleiner moet tekenen op silicium. In grote lijnen volgt lithografie een vuistregel: hoe korter de golflengte van het licht, hoe fijner de details die je kunt printen.
Als je extreem dunne lijnen probeert te printen met relatief “lang” licht, vervagen de randen—zoals schrijven met een dikke stift op ruitjespapier. Jarenlang verlengde de industrie DUV-lithografie door lenzen, lichtbronnen en materialen te verbeteren. Die verbeteringen hielpen, maar waren niet onbeperkt.
Ingenieurs gebruikten slimme technieken—betere lensontwerpen, strakkere procescontrole en computationele methoden die maskerpatteren voorvervormen zodat ze correct op de wafer afdrukken. Die methoden hielpen, maar naarmate features krimpten, werden kleine fouten die vroeger aanvaardbaar waren een breekpunt. Uiteindelijk kun je niet eeuwig optimaliseren: diffractie en procesvariatie beginnen te domineren.
Wanneer één belichting niet betrouwbaar de benodigde features kon printen, namen fabs multi-patterning in gebruik—het opdelen van één laag in meerdere maskers- en belichtingscycli.
Multi-patterning hield nodes vooruitgaand, maar het maakte lithografie tot een grote bottleneck. Meer stappen betekenden hogere kosten per wafer, langere cyclustijden en striktere yield‑management. Die groeiende last is een belangrijke reden dat de industrie naar een nieuwe golflengte en aanpak zwoer—en daarmee het toneel voor EUV klaarzette.
Deep ultraviolet (DUV) lithografie gebruikt 193 nm‑licht om patronen op een wafer te printen via een fotomasker en fotoresist. Jarenlang was het de ruggengraat van halfgeleiderfabricage—en dat is het nog steeds. Zelfs de meest geavanceerde fabs gebruiken DUV voor veel lagen waar features groter of minder kritiek zijn, omdat de tools snel, bewezen en relatief betaalbaar zijn.
Een belangrijke upgrade voor DUV was immersion lithografie. In plaats van door lucht te belichten, vult het systeem de ruimte tussen lens en wafer met ultra‑zuiver water. Dat water buigt licht sterker dan lucht, waardoor het systeem kleinere details kan scherpstellen—zoals het gebruiken van een beter ‘vergrotend medium’ om detail te verscherpen.
Immersion verlengde DUV veel verder dan velen hadden verwacht, maar het veranderde niet de onderliggende realiteit: 193 nm blijft een relatief “grote” golflengte wanneer je extreem kleine transistorfeatures probeert te tekenen.
Om met DUV te blijven krimpen, leunden chipmakers sterk op multi-patterning—het splitsen van één laag in twee, drie of meer belichtings- en etsstappen.
Dat werkt, maar het brengt duidelijke kosten met zich mee:
Extreme ultraviolet (EUV) lithografie gebruikt veel korter 13,5 nm‑licht, waarmee je fijnere features in minder passes kunt printen. De aantrekkingskracht was simpel: vervang “veel ingewikkelde DUV-stappen” door “minder, directere belichtingen” voor kritische lagen.
EUV werd niet ingevoerd omdat het makkelijk was—dat was het niet. Het werd ingevoerd omdat de DUV-multi-patterningroute aan de grens te traag, te kostbaar en te risicovol werd om op tempo door te schalen.
EUV (extreme ultraviolet) lithografie gebruikt veel kortere golflengte dan DUV-systemen. Kortere golflengte is belangrijk omdat het direct kleinere features kan printen—denk aan een fijner ‘potlood’ om de meest veeleisende chippatronen te tekenen.
Een EUV-tool is meer dan alleen een sterker lampje. Het is een zorgvuldig gecoördineerde keten van subsystemen:
Dat alles maakt EUV-tools duur om te bouwen, duur in onderhoud en moeilijk op volumeschalen uit te rollen.
Vóór EUV hadden fabs vaak meerdere belichtingen en ingewikkelde multi-patterning nodig met DUV om fijne features te maken. Voor bepaalde kritische lagen kan EUV het aantal patterning-stappen verminderen—waardoor tijd wordt bespaard, uitlijnfouten minder kans krijgen en de algehele yield verbetert.
EUV vereenvoudigt een hele fabriek niet op zichzelf. Je hebt nog steeds geavanceerde fotomaskers, fijn afgestemde fotoresist-chemie, precieze procescontrole en complementaire stappen (ets, depositie, inspectie). EUV helpt bij sleutellagen, maar chipmaken blijft een nauw verbonden end-to-end uitdaging.
Een EUV-“machine” is minder een enkel stuk apparatuur en meer een strak georkestreerde fabriekscel. Hij moet EUV-licht genereren, het vormen met bijna perfecte optica, siliciumwafers met nanometernauwkeurigheid bewegen en constant meten en corrigeren—terwijl hij dag en nacht draait.
Lichtbron: EUV-licht ontstaat door krachtige lasers op piepkleine tin-druppels te schieten om een hete plasma te vormen dat EUV-straling uitzendt. Van die korte, chaotische fysica een stabiele bruikbare bundel maken is een grote ingenieursuitdaging.
Spiegels, geen lenzen: EUV wordt door de meeste materialen (inclusief glas) geabsorbeerd, dus het kan niet worden gefocused met traditionele lenzen. In plaats daarvan kaatst de bundel door een keten van ultrasoepele, multilayer spiegels in een vacuümomgeving.
Waferstage en motion control: De wafer moet onder de patroonoptiek scannen met hoge snelheid en toch binnen enkele nanometers uitgelijnd blijven. Precisie-mechatronica, trillingscontrole en thermisch beheer worden net zo belangrijk als de lichtbron.
Maskerhandling en reinheid: Het fotomasker (reticle) draagt het patroon. Het hanteren zonder deeltjes en het behoud van een contamination-vrije omgeving is cruciaal, omdat EUV gevoelig is voor kleine defecten.
Zelfs als de hardware wereldklasse is, verdient de tool pas geld als hij wafers betrouwbaar print. EUV-systemen vertrouwen op metrologiesensoren om focus, uitlijning en drift te meten, plus software om fouten realtime te corrigeren en duizenden parameters te beheren.
Daarom zijn uptime en consistentie net zo belangrijk als ruwe resolutie. Een kleine daling in beschikbaarheid kan zich vertalen in een groot verlies aan waferoutput voor een leading-edge fab.
EUV-tools vergen veel tijd voor installatie en kwalificatie. Ze hebben cleanroom‑integratie, zorgvuldige kalibratie en doorlopend onderhoud nodig—vaak met toegewijde veldteams en regelmatige vervanging van verbruikscomponenten. Het kopen van de tool is pas het begin; het bedienen ervan wordt een langdurig partnerschap tussen de fabriek en de toolleverancier.
De EUV-tool van ASML is geen magische doos. Het is het eindresultaat van een nauwgezet gecoördineerd ecosysteem van specialisten—veelal wereldklasse in een zo smal vakgebied dat er misschien maar één geloofwaardige leverancier is.
EUV is afhankelijk van:
Elk subsysteem is op zich al moeilijk. Ze betrouwbaar samen laten werken, dag in dag uit, is de echte prestatie.
Chipmakers kopen geen “EUV-capaciteit”. Ze kopen consistente resultaten: voorspelbare beeldkwaliteit, stabiele uptime, bekende onderhoudscycli en een proceswindow waarop engineers kunnen vertrouwen.
Dat kost jaren van gezamenlijke afstemming tussen ASML, leveranciers en klanten: specificaties op elkaar afstemmen, randgevallen repareren, toleranties aanscherpen en feedbackloops van echte fab-condities terug in ontwerp en productie bouwen.
Zelfs als de vraag stijgt, kun je EUV-output niet zomaar verdubbelen zoals bij gewone industriële apparatuur. Je hebt getrainde technici, ultraclean assemblage, lang-lead onderdelen, uitgebreide tests en een wereldwijd serviceorganisme nodig om tools draaiende te houden. Het uitbreiden van elk van die knelpunten kost tijd.
Omdat de toeleveringsketen gespecialiseerd en co‑ontwikkeld is, is wisselen van leverancier niet alsof je een ander merk koopt. De opgebouwde knowhow, gekwalificeerde leveranciers en service-infrastructuur creëren een compenserend voordeel—waardoor het moeilijk wordt dat snel een tweede EUV-ecosysteem verschijnt.
De belangrijkste kopers van EUV-systemen zijn de handvol bedrijven die de meest geavanceerde chips maken: TSMC, Samsung en Intel. Zij draaien leading-edge fabs waar kleine verbeteringen in transistordichtheid, energiegebruik en prestaties direct betere telefoons, GPU’s, CPU’s en AI‑accelerators opleveren.
Een EUV-tool bestel je niet wanneer de vraag plots stijgt. Foundries plannen jaren vooruit omdat de beslissing verbonden is aan de hele fabriek: bouwindeling, cleanroom‑voorzieningen, vibratiecontrole en het procespad rond de scanner.
In de praktijk coördineren ze drie bewegende delen tegelijk:
Mis je de afstemming, dan kan je eindigen met een dure machine die op de bouw wacht—of een nieuwe fabriek die op een machine wacht.
Omdat EUV-capaciteit beperkt is, beïnvloedt toegang welke bedrijven nieuwe processgeneraties soepel kunnen uitrollen, hoe snel ze leading-edge productie aan klanten kunnen aanbieden en hoe zeker ze toekomstknopen kunnen beloven.
Als een foundry niet genoeg tools kan bemachtigen (of ze niet op de benodigde uptime kan draaien), moet die extra patterning-stappen gebruiken of tragere ramp-ups accepteren—beide verhogen kosten en risico.
EUV-scanners vragen voortdurende afstemming en onderhoud. Field service engineers, onderdelenlogistiek, software-updates en snelle probleemoplossing horen bij het pakket. Voor fabs draait de langdurige afhankelijkheid niet alleen om de tool zelf, maar om het supportnetwerk dat hem dag na dag wafers laat produceren.
Lithografietools—vooral EUV—zijn niet alleen dure fabrieksspullen. Ze bepalen effectief welke regio’s de meest geavanceerde chips op schaal kunnen maken. Dat maakt ze een strategisch knelpunt: beperk toegang tot top-lithografie en je kunt de vooruitgang in alles wat op toonaangevende chips draait vertragen, van datacenters en smartphones tot industriële systemen.
In tegenstelling tot veel andere onderdelen van de chip‑toeleveringsketen is top-tier lithografie sterk geconcentreerd. Het aantal bedrijven dat cutting-edge tools kan bouwen—en de gespecialiseerde componenten die ze vereisen (optiek, lichtbronnen, precisie‑stages, materialen)—is klein. Als capaciteit schaars en moeilijk te repliceren is, behandelen overheden het minder als gewone handel en meer als strategische infrastructuur.
Exportbeperkingen zijn een manier waarop staten dat risico proberen te beheersen. In algemene zin kunnen regels de verzending van bepaalde technologieën naar specifieke bestemmingen of eindgebruiken beperken. De details—wat gecontroleerd wordt, welke prestatiedrempels tellen en welke licenties nodig zijn—worden door overheden vastgesteld en kunnen in de tijd veranderen.
Voor chipmakers en leveranciers kunnen veranderende regels investeringsbeslissingen snel hervormen:
Het praktische gevolg is dat geopolitiek niet alleen bepaalt waar chips worden gemaakt, maar ook hoe snel nieuwe nodes volumeproductie bereiken.
Omdat regelgeving kan veranderen, is de veiligste aanpak het volgen van officiële overheidspublicaties, richtlijnen van toezichthouders en bedrijfsaangiften in plaats van geruchten. Volg aankondigingen en let op hoe definities en drempels wijzigen als je dit onderwerp langer volgt.
EUV-tools zijn duur om redenen die verder gaan dan “geavanceerde technologie.” Ze zijn opgebouwd uit ultranauwkeurige onderdelen (optiek, stages, vacuümsystemen) die op extreme toleranties moeten uitgelijnd worden, en veel van die onderdelen kunnen niet zoals standaard industriële componenten worden aangeschaft.
Ten eerste zijn de productievolumes laag. Deze machines worden niet tienduizenden keren geproduceerd; elk exemplaar lijkt meer op een op maat gemaakt industrieel project dan op een massaproduct.
Ten tweede is de test- en kalibratiebelasting enorm: elk subsysteem moet samenwerken op nanometernauwkeurigheid en het verifiëren van prestaties kost tijd, speciale apparatuur en hoogopgeleide teams.
Die combinatie—precisie + lage volumes + lange testcycli—drijft de eenheidskosten op nog vóór de tool verscheept wordt.
Voor een chipmaker is de echte vraag: hoeveel goede wafers kan deze tool helpen produceren, en hoe betrouwbaar?
Totale eigendomskosten omvatten meestal:
Een tool die “goedkoper” lijkt maar minder beschikbaar is, kan per chip duurder uitpakken.
Leading-edge capaciteit wordt beperkt door hoeveel lithografiestappen per dag kunnen draaien. Als EUV-leveringen vertragen of de uptime daalt, kunnen fabs geplande waferoutput niet halen. Dat verhoogt indirect de kosten per wafer: vaste kosten worden over minder wafers uitgespreid en klanten concurreren om beperkte productieslots. Het resultaat kan later hogere chipprijzen betekenen—of simpelweg minder beschikbare apparaten.
Zelfs met genoeg tools hangt vooruitgang af van materialen (fotoresists en maskers), ontwerpsoftware en IP, en manufacturing skill (procesbeheersing, yield learning). EUV is een poort, maar niet de hele weg.
High-NA EUV is de volgende grote upgrade voor EUV-lithografie. “NA” (numerical aperture) meet hoeveel licht de optiek kan verzamelen en focussen. Een hogere NA kan fijnere details op de wafer projecteren—vergelijkbaar met het gebruik van een scherper, beter objectief.
Het doel is eenvoudig: kleinere features schoner printen, met minder complexe multi-patterning.
Zelfs met betere optiek blijven er harde problemen:
High-NA EUV wordt waarschijnlijk eerst ingezet waar het het meeste oplevert—op de kleinste, duurste lagen van leading-edge chips. Voor veel andere lagen blijven de huidige EUV- en zelfs DUV-lithografie economisch aantrekkelijk.
Dat betekent dat fabs lange tijd gemengde tool‑fleets zullen draaien: High-NA voor de strakste patronen, “standaard” EUV voor brede productie en DUV voor minder kritieke lagen. Dit is geen overstap naar één nieuwe machine, maar een geleidelijke herinrichting van processtromen.
Nieuwe lithografiegeneraties vereisen co‑ontwikkeling van resists, maskers, metrologie en procesrecepten. Zelfs nadat de eerste tools arriveren, duurt het meestal meerdere jaren om stabiele, grootschalige fabricage te bereiken—vooral op schaal.
Als je producten bouwt die afhankelijk zijn van geavanceerde chips—AI-workloads, edge-apparaten, consumentenelektronica of datacenterplanning—worden lithografiebeperkingen uiteindelijk planningsbeperkingen: prijsfluctuaties, levertijden en node‑beschikbaarheid kunnen beïnvloeden wat je levert en wanneer.
In de praktijk reageren veel teams door lichte interne tools te bouwen: dashboards die leverancierssignalen volgen, modellen die BOM‑gevoeligheid inschatten of eenvoudige apps die inkoop, inzet en prognoses tussen teams coördineren.
Platforms zoals Koder.ai kunnen hier helpen omdat ze je in staat stellen webapps, backends en zelfs mobiele apps uit een chatgedreven workflow te maken—handig als je snel een functionele interne tool nodig hebt zonder een volledig traditionele ontwikkel‑traject op te zetten. Bijvoorbeeld, een klein operatieteam kan een React-dashboard prototypen met een Go + PostgreSQL-backend, itereren in “planning mode” en wijzigingen veilig houden met snapshots en rollback.
EUV-lithografie bouwen is niet hetzelfde als één machine kopiëren. Het is het resultaat van tientallen jaren iteratie in optiek, vacuümsystemen, lichtbronnen, metrologie, software en materialen—en al die onderdelen moeten op productiesnelheid betrouwbaar samenwerken.
Tijd is de eerste barrière: EUV vereiste dure leercurves waarbij elke generatie de volgende leerde. De tweede is het ecosysteem: kritieke subsystemen komen van gespecialiseerde leveranciers met lange kwalificatietrajecten. Patenten en proprietaire knowhow spelen ook een rol, maar de grotere hobbel is productie-ervaring: een systeem consequent op echte wafers laten printen, dag in dag uit, en het wereldwijd ondersteunen.
Nee. EUV wordt gebruikt voor lagen waar de kleinste features het meest kritisch zijn, maar DUV blijft veel lagen printen, zelfs in geavanceerde chips.
Fabs mixen EUV en DUV omdat verschillende lagen andere eisen hebben (resolutie, throughput, kost, volwassenheid). DUV blijft essentieel voor veel producten waar EUV economisch niet gerechtvaardigd is.
Ook hier is het antwoord nee. ASML is een belangrijke poortwachter voor leading-edge chips omdat EUV-tools schaars, complex en traag te bouwen zijn. Maar chipproductie hangt van veel meer af: fotoresistchemie, fotomaskers, waferleveringen, inspectietools, packagingcapaciteit en de vaardige engineers die processen draaien en onderhouden.
EUV-lithografie is lastig omdat de fysica meedogenloos is en productietoleranties extreem. Vooruitgang wordt beperkt door de hele chip‑toeleveringsketen, niet door één bedrijf alleen—maar de beschikbaarheid van EUV-tools bepaalt sterk wie de meest geavanceerde chips kan maken.
Kijk vooruit naar de uitrol van High-NA EUV, verbeteringen in resist- en maskertechnologieën en hoe exportbeperkingen en capaciteitsuitbreiding bepalen wie toegang krijgt tot de volgende golf van leading-edge productie.
Lithografie is de “patroon-print” stap in het chipmaken. Licht projecteert een patroon van een fotomasker op een wafer die bedekt is met fotoresist; daarna wordt de wafer ontwikkeld en geëtst of gelaagd zodat het patroon echte structuren wordt.
Omdat elke laag zich precies moet uitlijnen, kunnen kleine fouten in focus, overlay (uitlijning) of uniformiteit de opbrengst of prestaties verminderen.
Voor de meest geavanceerde processnodes is EUV-lithografie een sleutelcapaciteit die moeilijk op grote schaal door andere methoden te vervangen is. ASML’s tools concentreren die capaciteit, dus toegang tot hun scanners beïnvloedt sterk wie efficiënt toonaangevende chips kan produceren.
“Poortwachter” betekent niet dat ASML alles controleert—maar dat aan de grens van het kunnen de vooruitgang beperkt wordt door deze specifieke toolklasse en de beschikbaarheid ervan.
DUV (deep ultraviolet) lithografie gebruikt typisch 193 nm licht en wordt nog steeds veel gebruikt voor veel lagen omdat het rijp, snel en relatief betaalbaar is.
EUV (extreme ultraviolet) gebruikt 13,5 nm licht, waarmee fijner kan worden geprint. Het belangrijkste praktische voordeel is dat het de behoefte aan complexe multi-patterning op kritische lagen kan verminderen.
Multi-patterning is het opsplitsen van één bedoelde laag in meerdere mask-/belichting-/ets-cycli om kleinere features te simuleren wanneer één belichting dat niet betrouwbaar kan.
Het werkt, maar het voegt toe:
EUV-tools zijn moeilijk omdat EUV-licht door lucht en veel materialen wordt geabsorbeerd; daarom moet het systeem in vacuüm werken en met spiegels in plaats van lenzen. Het betrouwbaar genereren van EUV-licht is ook een grote technische uitdaging.
Bovendien kan kleine vervuiling spiegels verslechteren en de throughput verlagen, dus reinheid en defectcontrole zijn uitzonderlijk strikt.
Op hoog niveau integreert een EUV-scanner:
De waarde zit in het systeem dat betrouwbaar samenwerkt op productie-uptime—not alleen in één doorbraakcomponent.
De belangrijkste kopers zijn de handvol bedrijven die de meest geavanceerde chips pushen: TSMC, Samsung en Intel. Zij draaien leading-edge fabs waar kleine winst in transistordichtheid, energiegebruik en prestaties direct betere telefoons, GPU’s, CPU’s en AI‑accelerators oplevert.
In de praktijk plannen ze EUV-capaciteit jaren vooruit omdat toollevering, fab-gereedheid (utilities, vibratiecontrole, cleanroom-integratie) en procesevolutie (maskers/resist/metrologie) tegelijk moeten samenvallen.
Toegang tot EUV is sterk geconcentreerd en de tools bepalen mee of een regio de meest geavanceerde chips op schaal kan maken. Dat maakt EUV tot een strategische choke‑point.
Exportbeperkingen kunnen zendingen naar bepaalde bestemmingen of eindgebruikers beperken, wat invloed heeft op waar capaciteit wordt opgebouwd en onzekerheid toevoegt aan lange termijn fab-planning.
De prijs weerspiegelt extreme precisie, lage productievolumes en lange test-/kwalificatiecycli, plus gespecialiseerde onderdelen (optiek, stages, vacuüm, lichtbron). Maar de prijssticker is slechts een deel van het verhaal.
Fabs kijken naar totale eigendomskosten:
Een kleine daling in beschikbaarheid kan de waferoutput flink verlagen.
High-NA EUV vergroot de numerieke apertuur (NA) en maakt het mogelijk fijnere patronen te projecteren en mogelijk minder workarounds bij de kleinste features.
Het wordt geen eenvoudige schakelaar: resists, maskers, inspectie en throughput moeten samen volwassen worden. Verwacht geleidelijke adoptie en gemengde fleets (High-NA EUV + “standaard” EUV + DUV) voor vele jaren.
