为什么 DRAM 与 NAND 的行为像商品市场:规模、制程节点、良率与巨额晶圆厂资本支出驱动了美光的业绩波动。

美光是一家“资本游戏”公司,销售 DRAM 和 NAND;由于供应调整需要很长时间(且费用巨大),价格会大幅波动——因此随着内存周期的变化,盈利会出现快速上升或骤然下降。
这是一本用通俗语言解释美光波动机制的指南:内存市场如何运作,以及为什么在公司管理良好的情况下业绩仍能迅速变化。
它不是交易建议,也不会声称能精确预测价格触底或见顶的季度。内存市场受众多因素影响,精确预测通常会带来错误的安全感。
内存需求可能变化很快(PC 出货放缓、云端支出暂停、某次 AI 投入加速)。而供应变化缓慢,因为新增产能需要规划、设备订购、建设,以及数月的量产爬坡和良率提升。
这种时序错配——需求快速变动而供应滞后调整——产生了重复的周期:供给紧张导致价格上升和利润大增,随后产能释放造成过剩、价格下跌和利润受压。
所谓资本游戏,指的是行业需要巨额前期投入(晶圆厂、设备和制程迁移),回报以年为单位衡量而非以周或月计算。一旦这些投入确定,企业无法轻易“关停”供给而不承担成本,这会放大繁荣与萧条的幅度。
美光大部分的业绩波动可以用三项基本面解释:
美光主要销售两类内存:DRAM(工作内存)和 NAND 闪存(存储)。它们都很关键,但行为不同——两者都更像商品化市场,而非高度差异化的“专用”芯片市场。
DRAM 存放系统当前所需的数据。关闭应用或关机时,DRAM 中的数据会消失。
DRAM 出现在 PC(DDR5/DDR4)、服务器和云数据中心,以及 图形/AI 系统(高带宽变体如 HBM,但更广泛的市场仍是标准 DRAM)。
NAND 在断电后仍保留数据,它存在于 固态硬盘(SSD)、手机及许多嵌入式设备中。NAND 的性能受接口和控制器影响,但底层存储位往往可以在供应商之间互换。
内存比许多半导体更标准化:买家关心容量、速度等级、功耗和可靠性规格,但通常 产品锁定较少,因此当价格变化时更容易切换供应商。
采购也属于 大宗且议价化:大型 OEM、云客户和分销商购买大量库存,推动价格走向市场均衡水平。
因为当晶圆厂运行后成本大多为固定,小幅的价格变化就会影响利润。平均售价(ASP)几个百分点的变动,乘以数十亿 GB 的出货量,会显著改变毛利。
内存市场往往遵循熟悉的循环:需求上升、价格上涨、厂商增加投资、新产能投放、市场过剩、价格下跌,然后厂商削减产能与资本支出——为下一轮上行做准备。
当 PC、智能手机、服务器或 AI 基建需求改善时,客户需要更多 DRAM 和 NAND 比特。由于内存易被互换,供给收紧会迅速反映在合约价与现货价上。
更高的价格提升利润,厂商于是宣布更大规模的资本开支计划——更多设备、更多晶圆开片,有时还有新厂。最终新增产能投放市场。如果此时需求已放缓,多余的比特就会造成过剩。价格下跌,客户推迟采购,生产商通过减少晶圆开片和资本开支来应对。供应再次收紧,周期重启。
供应不能瞬间“调大”:
这些延迟意味着行业总是在对已发生的价格信号做出反应。
DRAM 与 NAND 未必同时见顶或见底。不同的终端市场、技术迁移与竞争者行为,会导致某一时期 DRAM 收紧而 NAND 供过于求(或反之)。
库存会放大波动。当价格上升时,客户常提前囤货以避高,这会把需求往前拉动。当价格下跌时,他们会消化库存并暂停下单。这种断断续续的采购模式会让业绩波动看起来很突然——即便最终用户需求仅发生了温和变化。
当美光谈论“比特增长”时,指的是其在某段时期(如一个季度或一年)能出货的总比特数量。这是内存市场的真正供给单位——而不是芯片数量或晶圆开片数。
内存“芯片”只是比特的容器。如果厂商能在每片晶圆上放入更多比特,就能在不建新厂、不多开晶圆的情况下增加供给。
比特增长至关重要,因为买家(PC 制造商、云服务商、手机 OEM)关心在某一价格下能买到多少 GB 或 TB。供应商在每比特成本上竞争,而价格往往对比特增长速度与比特需求增长速度的相对差异做出反应。
厂商主要通过两种方式增加每片晶圆的比特:
即便晶圆出货量持平,这类技术演进也能提升出货比特总量。
假设一家公司每季度出货 100,000 片晶圆。在旧节点上,每片晶圆产出 1,000 个“比特单元”(例如:1,000 标准化的吉比特),总计 1 亿单位。
经过节点迁移和良率学习后,每片晶圆的比特数提升 30% 至 1,300 单位。在同样的 100,000 片晶圆 下,供给变为 1.3 亿单位——在没有增加一片晶圆的情况下供应大幅上升。
如果需求仅增长 10% 而供给增长 30%,差额通常表现为 库存积累,随后带来 价格压力。
由于许多客户可以在供应商之间互换 DRAM/NAND,即使是温和的比特过剩也会迅速压低平均售价,从而引发美光所熟知的波动。
内存制造更像运营超昂贵的公用事业,而不是“造产品”。一旦建成,晶圆厂的成本很大一部分是固定的——因此利润不会平滑移动,而是会剧烈波动。
美光谈到的资本支出并非一次性的大额购买,而是一叠昂贵的构件:
即便公司“只”想要更多比特,也需要这些环节——因为工厂本身就是产品。
新增供给不会随叫随到。新厂或重大扩建需要场地工程、长期排队的设备订单、安装、认证,以及漫长的良率爬坡。
此外,内存生产线需针对特定制程流程调优;要在不同制程代之间瞬间转换产能通常需要停线与学习。等到新产能到位时,需求可能已经变化——这正是推动周期的原因之一。
内存晶圆厂具有 高固定成本(折旧、人工、维护、公用事业)。可变成本存在但往往低于公众预期。因此,当价格改善且晶圆厂接近满负荷运行时,毛利会迅速上升;当需求疲软且利用率下降时,同样的固定成本基础会严重压缩利润。
通俗地说:无论你是否以好价钱售出每一比特,工厂都需要付出很高的“开机”成本。
资本支出是现在的现金支出。会计上并不会一次性计入损益,而是以 折旧 的方式在多年内分摊。这就是为什么一家公司可能显示低利润(因折旧高)但仍能产生现金——或者显示盈利却仍需大量再投资以维持竞争力。
内存厂商常把 capex 表示为营收的百分比,因为它同时传达两个信息:他们正在投入多少再投资以及供应增长纪律性如何。
高 capex/营收比率可能意味着积极扩产(或赶制程差距);较低比率可能暗示供应趋紧——有利于价格——但也可能意味着在制程迁移上落后。
内存厂商获胜的方式并不是发明截然不同的 DRAM 或 NAND 特性,而是以低于竞争对手的成本批量生产比特,因为市场定价倾向于接近边际供应者的成本。
因此规模——你能运行多少晶圆、效率如何、稳定性如何——直接反映在利润率上。
规模在多个层面降低成本。大厂在设备、晶圆、化学品和物流上能拿到更好价格与配额。他们也能把巨额固定成本(研发、工艺整合团队、掩膜组、软件、可靠性实验室)摊到更多产出上。
而且由于内存晶圆厂需接近满负荷运行才能经济,大型厂商更有灵活性通过在客户和产品类别间调配产能以保持高利用率。
即便在相同“节点”上,两家厂商的每比特成本也可能大相径庭,因为良率与产出率会随经验提升。
更多的晶圆开片和更长时间的制程运作意味着更快的学习:缺陷事件更少、设备调校更佳、实际良用芯片数更多、报废更少。对于处于新节点或 NAND 新层数爬坡的公司而言,这种学习曲线是复利优势。
规模也支持产品组合。高性能 DRAM(面向服务器及某些 AI 需求)通常定价更高、规格更严格,优于主流 PC 或移动 DRAM。
规模化的厂商可以对产能进行分层——把最好的产能用于溢价产品,同时服务大宗主流需求——从而有助于稳定平均售价。
规模并不能消除周期。在深度下行时,行业范围内的需求冲击可能压垮任何成本优势,把价格压到低于现金成本的水平,挤压所有厂商利润。
规模能帮助你熬过低谷并更快再投资,但无法在大量比特同时释放到市场时阻止波动。
“制程技术”即一套制造步骤,使公司能在相同物理面积内放入更多内存。对 DRAM 来说,通常意味着做更小更精确的特征;对 NAND 来说,通常意味着在垂直方向叠加更多层数——就像在建筑上加楼层而不是扩地面积。
如果能从同一晶圆中产出更多比特,通常每比特成本就会下降。这是推进到新“节点”(DRAM)或更高层数设计(NAND)的基本经济动力。
但最新代通常更难、更贵:制程步骤更多、容差更紧、设备通量可能更低、材料更复杂。因此每比特成本通常会随着时间改善,而非在上线第一天就显著降低。
良率是可售芯片在总产出中的占比。新技术上线早期,良率通常较低,因为制程尚未稳定、微小偏差影响更大、工厂仍在“学习”。
低良率代价高:
随着良率提升,同一工厂能在不新增产能的情况下突然出货更多比特。
当行业切换节点时,产出可能会暂时下降,因为产线被改造且早期良率滞后。这会收紧供给并抬升价格。
反之亦然:如果爬坡优于预期,可用供给会迅速上升并压低价格。
由于内存价格对比特供给的微小变化非常敏感,良率、爬坡速度或层数/节点执行上的意外都会在短期内(有时一两个季度内)影响结果:一个“好于计划”的爬坡会压价;一个“比预期困难”的迁移会造成相反效果。
内存在内存市场中非常关键:小幅的库存变化就能快速移动价格,且价格又反过来影响行为。因产品高度可替代(特定 DRAM 或 NAND 规格),客户与供应商都试图“管理周期”——但往往会把周期放大。
当交期延长或价格上涨时,OEM 与云买家常常重复下单以保障供应。这并不意味着最终需求突然更强;往往只是把同样的需求下了两次单。
一旦供应放松,这部分提前下的库存会被消化,出现急剧“修正”:客户暂停下单以消化库存。对供应商而言,看起来像是需求消失,尽管 PC 或服务器实际上仍在正常出货。
对像美光这样的生产商,成品库存在需求超预期时可以作为缓冲——从库存出货以保持厂线运行,避免错失收入。
但在下行周期,库存会成为负担。如果价格下跌,持有未售出的比特可能导致:
DRAM 与 NAND 的定价通过合约(通常按季度)和现货市场(更即时)共同发现。
即便买家愿意切换供应商或放量新部件,认证与验证也需时间。这造成阶跃效应:需求无法平滑地在产品间转移;在平台、固件与供应链重新认证期间,需求可能暂停。
内存是少数由少数公司主导的大类半导体之一。这种集中度重要,因为价格在市场层面形成:若产业总产出增长快于需求,“清算价格”就会迅速下移,即便每家公司在技术上都很强。
当只有少数厂商控制大部分 DRAM 或 NAND 产能时,每家公司的投资决策影响都被放大。如果大家谨慎扩张,供给增长能更好地与需求匹配,价格趋于稳定。
若即便只有一家激进扩张,额外的比特也不会被“局限”——它们流入同一全球渠道,压低所有厂商的价格。
在内存领域,capex 纪律通常指的是以有节制的步伐推动供给增长,而非在短期内极大地扩产。实践上,这可能表现为:
这不是停止投资,而是选择能改善每比特成本而不会过快淹没市场的投资。
即便市场集中,各公司依然有强烈动机继续推进。担心丧失市场份额是真实存在的:错过一轮上行可能意味着失去设计胜出机会、客户心智或议价能力。
此外,技术竞赛也会促使企业建设并认证新制程能力,而这在无意间也可能增加产能。
关键结论:由于内存高度可替代,单个大规模扩产或比预期快的爬坡就能重新设定全行业的供需平衡与价格水平。
内存需求在长期上有向好动力:每年更多的数据被创造、传输与存储。但美光销售的市场单位量和支出计划可以快速波动,因此“结构性增长”并不消除周期性低迷。
客户端设备(PC、智能手机、平板)通常呈波段式变化:新平台、操作系统更新或换机潮提升出货,随后进入消化期。
尽管每台设备的 DRAM 或 NAND 平均含量随时间上升,某一年单位需求的疲软仍然会导致行业比特过剩。
超大规模云厂和企业通过服务器采购内存,而服务器建设由利用率与预算决定。当客户加速数据中心扩展时,会将内存需求提前拉动;当他们放缓时,订单会急剧下降。
重要的是,云端需求的变化更多反映在配置上而非单纯出货量——更多高内存配置会提升供应商盈利,即便总体服务器出货持平。
AI 训练与推理通常要求更高的内存带宽与容量,提升高端服务器与特定加速器的 DRAM 含量。这确实抬高了需求上限,但并不会消除周期:若部署短期内过度、功耗/机房限制抑制扩张,或客户等待下一代平台,支出仍会暂停。
买家可通过软件优化(压缩、量化、更好缓存)或改变系统设计(更多片上内存、不同层级的存储)来减少内存需求。这些变化通常改变比特的消耗地点与产品偏好,而非完全消除消费——这也是为何在“总需求”看似稳定时盈利仍会波动。
若追踪少数与供需和固定成本吸收直接相关的运营指标,很多看似“莫名其妙”的美光业绩就能得到解释。你不需要一个带几十个表格的模型——只需几项 KPI 并坚持逐季对比。
从这些入手:
如果想看如何在芯片公司间解读这些指标的入门,请参阅 /blog/semiconductor-kpis-explained。
如果你每季度都在重建同样的 KPI 表,把它规范成轻量级内部应用会有帮助:抓取财报数据、追踪比特出货/ASP/库存的时间序列,并生成一致的“周期仪表板”。
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内存制造具有高固定成本,因此价格像一个杠杆作用在盈利上。个位数的 ASP 下跌如果与利用率下降和库存上升同时发生,会显著压缩毛利。
相反,当需求改善、价格回稳时,毛利也会迅速扩张,因为同样的工厂已经建成、人员已配置。
少关注精确的营收区间,多关注方向性信号:
关注 快速扩产、终端需求表述疲软(PC、手机、云端消化)以及库存增长快于出货。当这些信号同时出现时,价格压力通常近在眼前——而这往往驱动最大的业绩波动。
若你期待一个平稳的“卖更多单元就赚更多钱”的故事,美光的业绩会让你困惑。内存的行为不同。
理解美光最简单的方式是记住三大支柱:周期、规模和制程技术。
周期:DRAM 与 NAND 定价因供应需数年才能补足而常常产生超调,需求可在季度间波动;价格拐点往往比出货量变化更快。
规模:每比特成本是得分板。大厂通常成本更低,因为它们能把高额固定成本摊薄、更快学习并保持更高的工厂利用率。利用率下降时,毛利会迅速压缩——即便公司仍“出货很多”。
制程技术:节点迁移与良率学习与需求本身一样重要。爬坡成功会降低每比特成本;爬坡困难会在价格下行时提高成本。
内存是一个资本密集且商品化的市场,供应响应滞后。这一结构自然产生业绩波动。
美光即便执行良好,也可能面临 ASP 下行;同样,在供应收紧时,即便需求温和增长也能受益。
看到头条时,把它转化为几个问题:
若想了解我们如何拆解这些话题,可浏览 /blog。若在比较半导体研究工作流相关工具或服务,请参阅 /pricing。
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